2SB1470

2SB1470. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Optimal til 120W Hi-Fi-output. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 3500. Kollektorstrøm: 8A. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffusion planar type darlington . tf (maks.): 1.2us. tf (min): 1.2us. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TOP-3L. Type transistor: PNP. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.