2SK4075

2SK4075. C (i): 2900pF. Omkostninger): 450pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højstrømskoblingsapplikationer. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: K4075. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 52W. On-resistance Rds On: 5.2m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 54 ns. Td(on): 18 ns. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 40V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1.5V. Teknologi: POWER MOSFET, Field Effect Transistor. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 04:25.