Advanced Power AP4506GEH Dobbelt N&P-Kanal Power MOSFET 30V 9A/8A D-PAK SMD

Teknisk beskrivelse af produktet (AP4506GEH):

N&P-MOSFET Dobbelttransistor AP4506GEH. Kanaltype: N-P. Antal pr. hus: 2 stk. Info1: Rds(on) N::0.024R P::0.036R. Info2: ID(AV)::N::9A P::8A. Info3: Vdss::N::30V P::-30V. Antal ben: 4 stk. Effekt (Pd): 3.1 W. ROHS: Ja. Montering: Overflademonteret (SMD). Teknologi: N&P PowerTrench MOSFET. Hus: D-PAK (TO-252). Hus (ifølge datablad): TO-252-4L (DPAK) (SOT428). Driftstemperatur: -55...+150 °C.