AO3407A

AO3407A. C (i): 520pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching eller PWM applikationer. Id(imp): 25A. ID (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (maks.): 4.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.4W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 19 ns. Td(on): 7.5 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. On-resistance Rds On: 0.052 Ohms. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 15:25.