BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V

BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V

Antal
Enhedspris
10-49
0.27kr
50-99
0.23kr
100+
0.20kr
+1313 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed!
Antal på lager: 2558
Minimum: 10

BAS28, SOT-143, 215mA, 0.215A, 1A, SOT-143, 85V. Hus: SOT-143. Hus (JEDEC-standard): -. Fremadgående strøm (AV): 215mA. Videresend nuværende [A]: 0.215A. IFSM: 1A. Hus (i henhold til datablad): SOT-143. VRRM: 85V. Antal terminaler: 4. Antal terminaler: 4. Cj: 1.5pF. Dielektrisk struktur: Uafhængig. Fremadspænding Vf (min): 0.715V. Funktion: Switching med høj hastighed. Halvledermateriale: silicium. Ifsm [A]: 4A. Komponentfamilie: dobbelt lille signal diode, Overflademontering (SMD). Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Lukspænding (gentagen) Vrrm [V]: 85V. Lækstrøm ved lukning Ir [A]: 30nA..50uA. Max temperatur: +150°C.. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 2. Mærkning på kabinettet: JTp. RoHS: ja. Skiftehastighed (regenereringstid) tr [sek.]: 4 ns. Spec info: IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 4 ns. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. [V]: 0.855V @ 10mA. Originalt produkt fra producenten: Philips Semiconductors. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 18:01

Teknisk dokumentation (PDF)
BAS28
31 parametre
Hus
SOT-143
Fremadgående strøm (AV)
215mA
Videresend nuværende [A]
0.215A
IFSM
1A
Hus (i henhold til datablad)
SOT-143
VRRM
85V
Antal terminaler
4
Antal terminaler
4
Cj
1.5pF
Dielektrisk struktur
Uafhængig
Fremadspænding Vf (min)
0.715V
Funktion
Switching med høj hastighed
Halvledermateriale
silicium
Ifsm [A]
4A
Komponentfamilie
dobbelt lille signal diode, Overflademontering (SMD)
Konfiguration
overflademonteret komponent (SMD)
Lukspænding (gentagen) Vrrm [V]
85V
Lækstrøm ved lukning Ir [A]
30nA..50uA
Max temperatur
+150°C.
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
2
Mærkning på kabinettet
JTp
RoHS
ja
Skiftehastighed (regenereringstid) tr [sek.]
4 ns
Spec info
IFSM--t=1us 4Ap, t=1ms 1Ap.
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
4 ns
Tærskelspænding Vf (maks.)
1.25V
[V]
0.855V @ 10mA
Originalt produkt fra producenten
Philips Semiconductors
Minimumsmængde
10