BAV199, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 0.16A, 200mA, 500mA, SOT-23 ( TO236 ), 85V. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (JEDEC-standard): TO-236AB. Videresend nuværende [A]: 0.16A. Fremadgående strøm (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Antal terminaler: 3. Antal terminaler: 3. Cj: 2pF. Dielektrisk struktur: Fælles anode-katode (midtpunkt). Fremadspænding Vf (min): 0.9V. Funktion: dobbelt lav-lækage diode. Halvledermateriale: silicium. Ifsm [A]: 2A. Komponentfamilie: dobbelt lille signal diode, Overflademontering (SMD). Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Lukspænding (gentagen) Vrrm [V]: 85V. Lækstrøm ved lukning Ir [A]: 5nA...80nA. MR (max): 80nA. MR (min): 5nA. Max temperatur: +150°C.. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 2. Mærkning på kabinettet: JYs. Produktionsdato: 2014/49. RoHS: ja. Skiftehastighed (regenereringstid) tr [sek.]: 3us. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 0.6us. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. [V]: 1V @ 10mA. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Minimumsmængde: 10. Antal på lager opdateret den 31/10/2025, 08:15