Antal (Sæt med 10) | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.44kr | 5.55kr |
5 - 9 | 4.22kr | 5.28kr |
10 - 24 | 4.00kr | 5.00kr |
25 - 49 | 3.46kr | 4.33kr |
50 - 99 | 3.25kr | 4.06kr |
100 - 149 | 3.05kr | 3.81kr |
150 - 395 | 2.85kr | 3.56kr |
Antal (Sæt med 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.44kr | 5.55kr |
5 - 9 | 4.22kr | 5.28kr |
10 - 24 | 4.00kr | 5.00kr |
25 - 49 | 3.46kr | 4.33kr |
50 - 99 | 3.25kr | 4.06kr |
100 - 149 | 3.05kr | 3.81kr |
150 - 395 | 2.85kr | 3.56kr |
BC857C. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Kollektorstrøm: 100mA. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 3 G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.075V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/CMS-kode 3G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 16/01/2025, 06:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.