BC860C

Antal (Sæt med 10)	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	6.19kr	7.74kr
2 - 2	5.89kr	7.36kr
3 - 4	5.58kr	6.98kr
5 - 9	5.27kr	6.59kr
10 - 24	4.96kr	6.20kr
25 - 49	4.65kr	5.81kr
50 - 223	4.34kr	5.43kr

Antal (Sæt med 10)	U.P
1 - 1	6.19kr	7.74kr
2 - 2	5.89kr	7.36kr
3 - 4	5.58kr	6.98kr
5 - 9	5.27kr	6.59kr
10 - 24	4.96kr	6.20kr
25 - 49	4.65kr	5.81kr
50 - 223	4.34kr	5.43kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 2230

Sæt med 10

BC860C. C (i): 10pF. Omkostninger): 4.5pF. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Kollektorstrøm: 0.1A. bemærk: komplementær transistor (par) BC850C. Mærkning på kabinettet: 4g. Antal terminaler: 3. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Effekt: 0.25W. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -68...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.075V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 4G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 20:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!