Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 241.54kr | 301.93kr |
2 - 2 | 229.46kr | 286.83kr |
3 - 4 | 217.38kr | 271.73kr |
5 - 9 | 205.31kr | 256.64kr |
10 - 14 | 200.48kr | 250.60kr |
15 - 18 | 195.65kr | 244.56kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 241.54kr | 301.93kr |
2 - 2 | 229.46kr | 286.83kr |
3 - 4 | 217.38kr | 271.73kr |
5 - 9 | 205.31kr | 256.64kr |
10 - 14 | 200.48kr | 250.60kr |
15 - 18 | 195.65kr | 244.56kr |
DSEI2X101-06A. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Trr-diode (min.): 35 ns. Halvledermateriale: silicium . Fremadgående strøm (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. MR (max): 20mA. MR (min): 1mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. RoHS: ja . Montering / installation: skrue . Teknologi: Epitaksial diode . Hus: ISOTOP ( SOT227B ). Hus (i henhold til datablad): ISOTOP ( SOT227B ). Driftstemperatur: -40...+150°C. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Fremadspænding Vf (min): 1.17V. VRRM: 600V. Konditioneringsenhed: 10. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 4. Funktion: dobbelt hurtig gendannelsesdiode. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.