DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V

DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V

Antal
Enhedspris
1-3
314.88kr
4-7
299.83kr
8-11
288.30kr
12-19
276.61kr
20+
256.89kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 3

DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V. Fremadgående strøm (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Hus: ISOTOP ( SOT227B ). Hus (i henhold til datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Antal terminaler: 4. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Driftstemperatur: -40...+150°C. Fremadspænding Vf (min): 1.17V. Funktion: dobbelt hurtig gendannelsesdiode. Halvledermateriale: silicium. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 10. MR (max): 20mA. MR (min): 1mA. Montering / installation: skrue. Mængde pr tilfælde: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. RoHS: ja. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Teknologi: Epitaksial diode. Trr-diode (min.): 35 ns. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.25V. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 11:43

Teknisk dokumentation (PDF)
DSEI2X101-06A
24 parametre
Fremadgående strøm (AV)
2x96A
IFSM
1200A
Hus
ISOTOP ( SOT227B )
Hus (i henhold til datablad)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
600V
Antal terminaler
4
Dielektrisk struktur
Anode-katode
Driftstemperatur
-40...+150°C
Fremadspænding Vf (min)
1.17V
Funktion
dobbelt hurtig gendannelsesdiode
Halvledermateriale
silicium
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
10
MR (max)
20mA
MR (min)
1mA
Montering / installation
skrue
Mængde pr tilfælde
2
Pd (Strømafledning, maks.) )
250W
RoHS
ja
Spec info
1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C
Teknologi
Epitaksial diode
Trr-diode (min.)
35 ns
Tærskelspænding Vf (maks.)
1.25V
Originalt produkt fra producenten
IXYS

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til DSEI2X101-06A