DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V

DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V

Antal
Enhedspris
1-1
550.74kr
2-3
527.18kr
4-7
507.08kr
8-15
491.53kr
16+
463.28kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget
Udsolgt

DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V. Fremadgående strøm (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Hus: ISOTOP ( SOT227B ). Hus (i henhold til datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Bemærk: 900App/10ms, 45°C. Dielektrisk struktur: Anode-katode. Driftstemperatur: -40...+150°C. Fremadspænding Vf (min): 1.61V. Funktion: dobbelt hurtig gendannelsesdiode. Halvledermateriale: silicium. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 10. Leveringstid: KB. MR (max): 15mA. MR (min): 1.5mA. Montering / installation: skrue. Mængde pr tilfælde: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Teknologi: Epitaksial diode. Trr-diode (min.): 40 ns. Tærskelspænding Vf (maks.): 1.87V. Originalt produkt fra producenten: IXYS. Antal på lager opdateret den 13/11/2025, 11:43

Teknisk dokumentation (PDF)
DSEI2X101-12A
24 parametre
Fremadgående strøm (AV)
2x91A
IFSM
900A
Hus
ISOTOP ( SOT227B )
Hus (i henhold til datablad)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
1200V
Bemærk
900App/10ms, 45°C
Dielektrisk struktur
Anode-katode
Driftstemperatur
-40...+150°C
Fremadspænding Vf (min)
1.61V
Funktion
dobbelt hurtig gendannelsesdiode
Halvledermateriale
silicium
Konditionering
plastrør
Konditioneringsenhed
10
Leveringstid
KB
MR (max)
15mA
MR (min)
1.5mA
Montering / installation
skrue
Mængde pr tilfælde
2
Pd (Strømafledning, maks.) )
250W
Spec info
810Ap t=10ms, TVJ=150°C
Teknologi
Epitaksial diode
Trr-diode (min.)
40 ns
Tærskelspænding Vf (maks.)
1.87V
Originalt produkt fra producenten
IXYS