På lager
Fairchild
Fairchild HGTG30N60B3D N-IGBT Transistor 600V 30A TO-247
Produktreference : HGTG30N60B3D
Mængderabatter — Spar ved køb
| Mængde | Enhedspris | Spare |
|---|---|---|
| 1+Bedste pris | 97.56 kr | — |
Teknisk beskrivelse af produktet (HGTG30N60B3D):
Germaniumdiode: nej. RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Hus: TO-247. CE-diode: nej. Antal forbindelser: 3. Montering/installation: gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N-P. Hus (ifølge datablad): TO-247 (AC) MOS-N-IGBT. Funktion: Ic 30A ved 25°C, 25A ved 110°C, Icm 220A (pulseret). Td(off): 137 ns. Kollektor-emitterspænding Vceo: 600V. Td(on): 36 ns. Kollektor-emittermætningsspænding VCE(sat): 1.45V. Gate-emitterspænding VGE: 20V. Maksimal effektafledning: 208W. Gate-emitter tærskelspænding VGE(th) min.: 4.2V. Gate-emitter tærskelspænding VGE(th) max.: 6V.