N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V - FDD5690

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V - FDD5690. N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. On-resistance Rds On: 0.023 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 60V. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FDD5690. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 10 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 24 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1110pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 24 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: PowerTrench MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal på lager opdateret den 21/04/2025, 19:25.