FDD8447L

FDD8447L. C (i): 1970pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 2500. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 22 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. ID (T=100°C): 15.2A. ID (T=25°C): 57A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: FDD8447L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 44W. On-resistance Rds On: 0.085 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 38 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: Power Trench MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 40V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Funktion: Hurtig switching, invertere, strømforsyninger. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 17:25.