FDD8878

FDD8878. C (i): 880pF. Omkostninger): 195pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 2500. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 23 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: DC/DC spændingsomformer. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 40A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 39 ns. Td(on): 7 ns. Teknologi: Power Trench MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1.2V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 05:25.