FQD30N06L

FQD30N06L. C (i): 800pF. Omkostninger): 270pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 55 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: logisk niveau gated MOSFET transistor. Id(imp): 96A. ID (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 24A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 30N06L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 44W. On-resistance Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 55 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 05:25.