FQP13N10

FQP13N10. C (i): 345pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 72 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 51.2A. ID (T=100°C): 9.05A. ID (T=25°C): 12.8A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. On-resistance Rds On: 0.142 Ohms. RoHS: ja . Vægt: 2.07g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 20 ns. Td(on): 5 ns. Teknologi: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 50. Funktion: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.