FQPF19N20C

FQPF19N20C. C (i): 830pF. Omkostninger): 195pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 208 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 43W. On-resistance Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 135 ns. Td(on): 15 ns. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 200V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Port/kildespænding (fra) min.: 2V. Vgs (th) maks.: 4 v. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Teknologi: N-kanal MOSFET transistor (DMOS, QFET). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 18/01/2025, 06:25.