Fuji Electric 2SK2640 N-Kanal MOSFET, 500V, 10A, 0.73 Ohm, TO-220F15 Kapsling

Teknisk beskrivelse af produktet (2SK2640):

Drain-Source-spænding Vds(max): 500V. Drain-Source-lækstrøm Idss(max): 200uA. Kontinuerlig Drain-strøm Id (T=25°C): 10A. Kontinuerlig Drain-strøm Id (T=100°C): 10A. On-State-modstand Rds(On): 0.73 Ohm. Kapsling (ifølge datablad): TO-220F15. Kapsling: TO-220FP. RoHS-kompatibel: Ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal ben: 3. Monteringstype: Gennemhulsmontage. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Højhastighedskobling. Teknologi: FAP-IIS Serie MOS-FET. Gate-Source-beskyttelse: Nej. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 70 ns. Drain-Source-lækstrøm Idss(min): 10uA. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 25 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende Drain-strøm Id(imp): 40A. Kapselmarkering: K2640. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) min.: 3.5V. Indgangskapacitet C(in): 950pF. Udgangskapacitet C(out): 180pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 450 ns. Maksimal effektafledning: 50W. Drain-Source-beskyttelse: Diode. Gate-Source-spænding Vgs: 30V.