Fuji Electric 2SK2647 N-Kanal MOSFET, 800V, 4A, 3.19 Ohm, TO-220F15 Kapsling

Teknisk beskrivelse af produktet (2SK2647):

Drain-Source-spænding Vds(max): 800V. Drain-Source-lækstrøm Idss(max): 200uA. Kontinuerlig Drain-strøm Id (T=25°C): 4A. Kontinuerlig Drain-strøm Id (T=100°C): 4A. On-State-modstand Rds(On): 3.19 Ohm. Kapsling (ifølge datablad): TO-220F15. Kapsling: TO-220. Antal ben: 3. Monteringstype: Gennemhulsmontage. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Højhastighedskobling. Teknologi: FAP-IIS Serie MOS-FET. Gate-Source-beskyttelse: Nej. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 50 ns. Drain-Source-lækstrøm Idss(min): 10uA. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 20 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende Drain-strøm Id(imp): 16A. Kapselmarkering: K2647. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) min.: 3.5V. Indgangskapacitet C(in): 450pF. Udgangskapacitet C(out): 75pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 450 ns. Maksimal effektafledning: 40W. Drain-Source-beskyttelse: Diode. Gate-Source-spænding Vgs: 30V. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) max.: 4.5V. Temperatur: +150°C.