Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 59.71kr | 74.64kr |
2 - 2 | 56.72kr | 70.90kr |
3 - 4 | 55.53kr | 69.41kr |
5 - 9 | 53.74kr | 67.18kr |
10 - 19 | 52.54kr | 65.68kr |
20 - 29 | 50.75kr | 63.44kr |
30 - 39 | 48.96kr | 61.20kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 59.71kr | 74.64kr |
2 - 2 | 56.72kr | 70.90kr |
3 - 4 | 55.53kr | 69.41kr |
5 - 9 | 53.74kr | 67.18kr |
10 - 19 | 52.54kr | 65.68kr |
20 - 29 | 50.75kr | 63.44kr |
30 - 39 | 48.96kr | 61.20kr |
N-kanal transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322. N-kanal transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P( GCE ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. CE-diode: ja . Kanaltype: N. Funktion: Current Resonance Inverter Switching . Germanium diode: NINCS. Kollektorstrøm: 30A. Ic (puls): 100A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Spec info: Isoleret gate bipolær transistor (IGBT). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 400 ns. Td(on): 30 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.1V. Originalt produkt fra producenten Toshiba. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 12:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.