Hitachi 2SK1170 N-Kanal MOSFET, 500V, 20A, 0.27 Ohm, TO-3P Kapsling

Teknisk beskrivelse af produktet (2SK1170):

Drain-Source-spænding Vds(max): 500V. Drain-Source-lækstrøm Idss(max): 250uA. Kontinuerlig Drain-strøm Id (T=25°C): 20A. On-State-modstand Rds(On): 0.27 Ohm. Kapsling (ifølge datablad): TO-3P. Kapsling: TO-3P (TO-218 SOT-93). Driftstemperatur: -55...+150°C. Særlige funktioner: High speed switching, low drive current. Antal ben: 3. Monteringstype: Gennemhulsmontage. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: N-Kanal MOSFET. Teknologi: V-MOS. Gate-Source-beskyttelse: Ja. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 200 ns. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 32 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende Drain-strøm Id(imp): 80A. Indgangskapacitet C(in): 2800pF. Udgangskapacitet C(out): 780pF. Diode Reverse Recovery Time Trr (Min.): 500 ns. Maksimal effektafledning: 120W. Drain-Source-beskyttelse: Diode. Gate-Source-spænding Vgs: 30V.