Infineon SPP11N60C3 N-Kanal CoolMOS Power MOSFET, 650V, 11A, TO-220

Teknisk beskrivelse af produktet (SPP11N60C3):

Drain-Source-spænding Vds(max): 650V. Drain-Source-lækstrøm Idss (max): 100uA. Drainstrøm Id (T=25°C): 11A. Drainstrøm Id (T=100°C): 7A. On-modstand Rds On: 0.34 Ohms. Kapsling (ifølge datablad): TO-220. Kapsling: TO-220. RoHS: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal forbindelser: 3. Montering/Installation: Gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Ekstrem dv/dt-klassificering, høj spidsstrømkapacitet. Teknologi: Cool Mos POWER Transistor. Gate-Source-beskyttelse: nej. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 44 ns. Drain-Source-lækstrøm Idss (min): 0.1uA. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 10 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende drainstrøm Id(imp): 33A. Mærkning på kapsling: 11N60C3. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) min.: 2.1V. Indgangskapacitet C (in): 1200pF. Udgangskapacitet C (out): 390pF. Diode reverse recovery time Trr (Min.): 400 ns. Maks. effektafledning: 125W. Drain-Source-beskyttelse: Zenerdiode. Gate-Source-spænding Vgs: 20V. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) max.: 3.9V