Infineon SPU04N60C3 N-Kanal CoolMOS Power MOSFET, 650V, 4.5A, TO-251 (I-Pak)

Teknisk beskrivelse af produktet (SPU04N60C3):

Drain-Source-spænding Vds(max): 650V. Drain-Source-lækstrøm Idss (max): 50uA. Drainstrøm Id (T=25°C): 4.5A. Drainstrøm Id (T=100°C): 2.8A. On-modstand Rds On: 0.85 Ohms. Kapsling (ifølge datablad): TO-251 (I-Pak). Kapsling: TO-251 (I-Pak). Driftstemperatur: -55...+150°C. Antal forbindelser: 3. Montering/Installation: Gennemhulsmontage til printkort. Kanaltype: N. Transistortype: MOSFET. Funktion: Ultra lav gate-ladning, ekstrem dv/dt-klassificering. Teknologi: Cool Mos. Gate-Source-beskyttelse: nej. Slukningsforsinkelsestid Td(off): 58.5 ns. Drain-Source-lækstrøm Idss (min): 0.5uA. Tændingsforsinkelsestid Td(on): 6 ns. Antal pr. kapsling: 1. Pulserende drainstrøm Id(imp): 13.5A. Mærkning på kapsling: 04N60C3. Gate-Source-tærskelspænding Vgs(th) min.: 2.1V. Indgangskapacitet C (in): 490pF. Udgangskapacitet C (out): 160pF. Diode reverse recovery time Trr (Min.): 300 ns. Maks. effektafledning: 50W. Drain-Source-beskyttelse: Zenerdiode. Gate-Source-spænding Vgs: 20V