IPD50N03S2L-06

IPD50N03S2L-06. C (i): 1900pF. Omkostninger): 760pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 50A. ID (T=25°C): 50A. Idss (maks.): 27uA. IDss (min): 0.01uA. Mærkning på kabinettet: PN03L06. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 136W. On-resistance Rds On: 7.6m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 40 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: OptiMOS® Power-Transistor. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1.2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 09:25.