IRF730

IRF730. C (i): 700pF. Omkostninger): 170pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 22A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 38 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 400V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 12/01/2025, 19:25.