IRF7807Z

IRF7807Z. C (i): 770pF. Omkostninger): 190pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 31us. Type transistor: MOSFET. Funktion: integreret kredsløb til DC-DC omformere. Id(imp): 88A. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 150uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 10 ns. Td(on): 6.9ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.25V. Vgs (th) min.: 1.35V. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 06:25.