N-kanal transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - IRFB4229

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	47.83kr	59.79kr
2 - 2	45.43kr	56.79kr
3 - 4	44.00kr	55.00kr
5 - 9	43.04kr	53.80kr
10 - 19	42.09kr	52.61kr
20 - 29	40.65kr	50.81kr
30 - 99	39.22kr	49.03kr

Antal	U.P
1 - 1	47.83kr	59.79kr
2 - 2	45.43kr	56.79kr
3 - 4	44.00kr	55.00kr
5 - 9	43.04kr	53.80kr
10 - 19	42.09kr	52.61kr
20 - 29	40.65kr	50.81kr
30 - 99	39.22kr	49.03kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 99

Sæt med 1

N-kanal transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - IRFB4229. N-kanal transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 38m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 250V. C (i): 4560pF. Omkostninger): 390pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Klasse-D lydforstærker 300W-500W (halvbro). GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 330W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 30 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten International Rectifier. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 09:25.

Teknisk dokumentation

N-kanal transistor, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V - IRFB4229

Vi anbefaler også :

Køleplader

Monteringstilbehør til transistorer

Termisk fedt

Vi anbefaler også :