IRFB4229

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	47.83kr	59.79kr
2 - 2	45.43kr	56.79kr
3 - 4	43.04kr	53.80kr
5 - 9	40.65kr	50.81kr
10 - 19	39.70kr	49.63kr
20 - 29	38.74kr	48.43kr
30 - 105	37.30kr	46.63kr

Antal	U.P
1 - 1	47.83kr	59.79kr
2 - 2	45.43kr	56.79kr
3 - 4	43.04kr	53.80kr
5 - 9	40.65kr	50.81kr
10 - 19	39.70kr	49.63kr
20 - 29	38.74kr	48.43kr
30 - 105	37.30kr	46.63kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 105

Sæt med 1

IRFB4229. C (i): 4560pF. Omkostninger): 390pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Klasse-D lydforstærker 300W-500W (halvbro). Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (maks.): 1mA. IDss (min): 20uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 330W. On-resistance Rds On: 38m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 30 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -40...+175°C. Spænding Vds (maks.): 250V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 03:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!