IRFB9N60A

IRFB9N60A. C (i): 1400pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 530 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 170W. On-resistance Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 30 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Spec info: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 03:25.