IRFBC30

IRFBC30. C (i): 660pF. Omkostninger): 86pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 370 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 2.2 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 35 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.