IRFBE30

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	15.95kr	19.94kr
5 - 9	15.15kr	18.94kr
10 - 24	14.36kr	17.95kr
25 - 49	13.56kr	16.95kr
50 - 99	13.24kr	16.55kr
100 - 112	11.90kr	14.88kr

Antal	U.P
1 - 4	15.95kr	19.94kr
5 - 9	15.15kr	18.94kr
10 - 24	14.36kr	17.95kr
25 - 49	13.56kr	16.95kr
50 - 99	13.24kr	16.55kr
100 - 112	11.90kr	14.88kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 112

Sæt med 1

IRFBE30. C (i): 1300pF. Omkostninger): 310pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. On-resistance Rds On: 3 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 82 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 12/01/2025, 19:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!