N-kanal transistor, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V - IRFBG30

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	15.40kr	19.25kr
5 - 9	14.63kr	18.29kr
10 - 24	13.86kr	17.33kr
25 - 49	13.09kr	16.36kr
50 - 99	12.78kr	15.98kr
100 - 161	11.53kr	14.41kr

Antal	U.P
1 - 4	15.40kr	19.25kr
5 - 9	14.63kr	18.29kr
10 - 24	13.86kr	17.33kr
25 - 49	13.09kr	16.36kr
50 - 99	12.78kr	15.98kr
100 - 161	11.53kr	14.41kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 161

Sæt med 1

N-kanal transistor, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V - IRFBG30. N-kanal transistor, 2A, 3.1A, 500uA, 5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 1000V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 5 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 1000V. C (i): 980pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 89 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 10:25.

Teknisk dokumentation