IRFBG30

IRFBG30. C (i): 980pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.1A. Idss (maks.): 500uA. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. On-resistance Rds On: 5 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 89 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 1000V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 08:25.