N-kanal transistor, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD014

N-kanal transistor, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD014. N-kanal transistor, 1.2A, 1.7A, 0.025mA, 250uA, 0.20 Ohms, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. ID (T=100°C): 1.2A. ID (T=25°C): 1.7A. Idss: 0.025mA. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. Hus: DIP. Hus (i henhold til datablad): DH-1 house, DIP-4. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 310pF. Omkostninger): 160pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: FET. Funktion: td(on) 10ns, td(off) 13ns. Id(imp): 14A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 13 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 23/04/2025, 10:25.