IRFL024N

$[TITLE]$

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 4	5.63kr	7.04kr
5 - 9	5.35kr	6.69kr
10 - 24	5.07kr	6.34kr
25 - 49	4.79kr	5.99kr
50 - 99	4.68kr	5.85kr
100 - 191	4.18kr	5.23kr

Antal	U.P
1 - 4	5.63kr	7.04kr
5 - 9	5.35kr	6.69kr
10 - 24	5.07kr	6.34kr
25 - 49	4.79kr	5.99kr
50 - 99	4.68kr	5.85kr
100 - 191	4.18kr	5.23kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 191

Sæt med 1

IRFL024N. C (i): 400pF. Omkostninger): 145pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 35 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 11.2A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 2.8A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Ækvivalenter: IRFL024NPBF. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.1W. On-resistance Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 22.2 ns. Td(on): 8.1 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!