IRFP150N

IRFP150N. C (i): 1900pF. Omkostninger): 450pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. On-resistance Rds On: 0.36 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 12/01/2025, 15:25.