IRFP27N60KPBF

IRFP27N60KPBF. C (i): 4660pF. Omkostninger): 460pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 620 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 50uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 500W. On-resistance Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 43 ns. Td(on): 27 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.