IRLR024N

IRLR024N. C (i): 480pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Ækvivalenter: IRLR024NPBF. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 45W. On-resistance Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 20 ns. Td(on): 7.1 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 5V. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Spec info: Portstyring efter logisk niveau. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 00:25.