Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner

N-kanal transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2705

N-kanal transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2705
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 4 7.54kr 9.43kr
5 - 9 7.17kr 8.96kr
10 - 16 6.79kr 8.49kr
Antal U.P
1 - 4 7.54kr 9.43kr
5 - 9 7.17kr 8.96kr
10 - 16 6.79kr 8.49kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Antal på lager : 16
Sæt med 1

N-kanal transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2705. N-kanal transistor, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.04 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 880pF. Omkostninger): 220pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 75. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 76 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 68W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 21 ns. Td(on): 8.9 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Funktion: Gatedrev på logisk niveau, hurtig skift. Spec info: lav modstand R-on 0,040 Ohm. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 22/04/2025, 00:25.

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.