IRLR3410

IRLR3410. C (i): 800pF. Omkostninger): 160pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 79W. On-resistance Rds On: 0.105 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 30 ns. Td(on): 7.2 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Spec info: Portstyring efter logisk niveau. Funktion: Ultra lav tænd-modstand, hurtig skift. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 06:25.