IXTQ88N30P

Antal	ekskl. moms	moms inkl.
1 - 1	97.23kr	121.54kr
2 - 2	92.37kr	115.46kr
3 - 4	87.51kr	109.39kr
5 - 9	82.64kr	103.30kr
10 - 14	80.70kr	100.88kr
15 - 19	78.76kr	98.45kr
20 - 36	75.84kr	94.80kr

Antal	U.P
1 - 1	97.23kr	121.54kr
2 - 2	92.37kr	115.46kr
3 - 4	87.51kr	109.39kr
5 - 9	82.64kr	103.30kr
10 - 14	80.70kr	100.88kr
15 - 19	78.76kr	98.45kr
20 - 36	75.84kr	94.80kr

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Antal på lager : 36

Sæt med 1

IXTQ88N30P. C (i): 6300pF. Omkostninger): 950pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N-Channel Enhancement Mode. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 88A. Idss (maks.): 1mA. IDss (min): 100uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 600W. On-resistance Rds On: 40m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 96 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: PolarHT Power MOSFET. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 300V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS. Antal på lager opdateret den 13/01/2025, 03:25.

Teknisk dokumentation

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Via e-mail

Salgsbetingelser

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!