IXYS IXFH32N50 N-Kanal HiPerFET Power MOSFET, 500V Drain-Source, 32A Drainstrøm, TO-247AD Kapsling

Teknisk beskrivelse af produktet (IXFH32N50):

Denne IXYS IXFH32N50 N-Kanal HiPerFET Power MOSFET har en maksimal drain-source-spænding (Vds) på 500V og en kontinuerlig drainstrøm (ID) på 32A ved 25°C. Dens on-modstand (Rds On) er 0,15 Ohm. Komponentet er indkapslet i en TO-247AD-kapsling, velegnet til PCB gennemhulsmontage. Den fungerer inden for et temperaturområde på -55°C til +150°C og er RoHS-kompatibel. Nøglespecifikationer inkluderer en effekttab (Pd) på 360W, en gate-source-spænding (Vgs) på 20V og en tændingsforsinkelsestid (Td(on)) på 35 ns. Den tilbyder drain-source-beskyttelse.