MOSFET transistor IRF7343
Antal
Enhedspris
1-4
15.41kr
5-24
13.84kr
25-49
12.67kr
50-99
11.67kr
100+
10.49kr
| +3 ekstra varer tilgængelige på lager (leveres inden for 4 timer). Kontakt os for priser og tilgængelighed! | |
| Antal på lager: 128 |
MOSFET transistor IRF7343. Antal terminaler: 8:1. Drænkildespænding: 55/-55V. Effekt: 2W. Funktion: par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer. Gate-source spænding: 20V, ±20V. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Hus: SO. Kanaltype: N-P. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 2. Oplade: 24/26nC. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Teknologi: HEXFET®. Termisk modstand: 62.5K/W. Tøm strøm: 4.7/-3.4A. Originalt produkt fra producenten: International Rectifier. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
IRF7343
19 parametre
Antal terminaler
8:1
Drænkildespænding
55/-55V
Effekt
2W
Funktion
par komplementære N-kanal og P-kanal MOSFET transistorer
Gate-source spænding
20V, ±20V
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Hus
SO
Kanaltype
N-P
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
2
Oplade
24/26nC
Pd (Strømafledning, maks.) )
2W
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Spec info
0.043 Ohms & 0.095 Ohms
Teknologi
HEXFET®
Termisk modstand
62.5K/W
Tøm strøm
4.7/-3.4A
Originalt produkt fra producenten
International Rectifier