N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 55V, 53A, 1, TO-247 , TO-247AC, 55V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Hus (JEDEC-standard): 1. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 55V. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP044N. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 12 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1500pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 120W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 43 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET

N-kanal transistor, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 52A. ID (T=25°C): 70A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.018 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 2400pF. Omkostninger): 1300pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. Id(imp): 290A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 210 ns. Td(on): 8.1 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 64A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.016 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 1900pF. Omkostninger): 620pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 94 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 210A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 32 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET ® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 64A. ID (T=25°C): 70A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.014 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 4500pF. Omkostninger): 2000pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 83 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 81A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.012 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 2900pF. Omkostninger): 880pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 81 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 290A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 170W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 40 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 59A. ID (T=25°C): 110A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.008 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 4000pF. Omkostninger): 1300pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 390A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 43 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Hus (JEDEC-standard): 150W. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP064NPBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4000pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 60V, 70A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP064PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 21 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7400pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 300W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 31A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.077 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 1700pF. Omkostninger): 550pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. bemærk: komplementær transistor (par) IRFP9140. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. RoHS: ja . Td(fra): 53 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Effekt: 180W. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 55V. ID (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.0042 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 5600pF. Omkostninger): 1310pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 640A. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 310W. RoHS: ja . Td(fra): 140 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Effekt: 310W. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. ID (T=25°C): 31A. Idss (maks.): 31A. On-resistance Rds On: 0.51 Ohms. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 100V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. Pd (Strømafledning, maks.) ): 131W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET

N-kanal transistor, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 33A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.052 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 100V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: PowerMOSFET. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Teknologi: HEXFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 29A. ID (T=25°C): 41A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.55 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 2800pF. Omkostninger): 1100pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 220 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. IDss (min): 25uA. Mærkning på kabinettet: IRFP150. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 30A. ID (T=25°C): 42A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.36 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 1900pF. Omkostninger): 450pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 180 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 140A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 100V, 42A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP150NPBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 11 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1900pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 160W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 100V, 42A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP150PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 16 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 60 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2800pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 160W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 22A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.23 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 3450pF. Omkostninger): 513pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET. Id(imp): 88A. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 277W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 47 ns. Td(on): 26 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.18 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 1300pF. Omkostninger): 400pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Vægt: 4.6g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Spec info: komplementær transistor (par) IRFP9240. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, TO-247AC, 200V, 20A, 200V. Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Drain-source spænding (Vds): 200V. Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP240PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1300pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 150W. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 20A. Effekt: 150W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.075 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 2159pF. Omkostninger): 315pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 186 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 214W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 41 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, TO-247AC, 200V, 30A, 0.075 Ohms, 200V. Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. On-resistance Rds On: 0.075 Ohms. Drain-source spænding (Vds): 200V. Producentens mærkning: IRFP250NPBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 41 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2159pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 214W. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 30A. Effekt: 214W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 200V, 30A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP250PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 16 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 70 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2800pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 190W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 250V, 23A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP254PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 15 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 74 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2700pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 190W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.04 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 4057pF. Omkostninger): 603pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 268 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: dynamisk dv/dt-forhold, hurtig skift. Id(imp): 200A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja . Vægt: 5.57g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 55 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247 , 200V, 50A, 280W. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Drain-source spænding Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Hus (JEDEC-standard): 280W. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP260NPBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 28A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 17 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 55 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4057pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 300W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C