N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 0.038 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 250V. C (i): 4560pF. Omkostninger): 390pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 25. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 180A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 310W. RoHS: ja . Vægt: 5.8g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 25 ns. Td(on): 44 ns. Teknologi: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Driftstemperatur: -40...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V

N-kanal transistor, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 300V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (maks.): 150uA. On-resistance Rds On: 0.049 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 300V. C (i): 7370pF. Omkostninger): 520pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 190A. IDss (min): 5uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 430W. RoHS: ja . Spec info: Idm--190Ap.. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Driftstemperatur: -40...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V

N-kanal transistor, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 0.029 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 250V. C (i): 5860pF. Omkostninger): 530pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PDP Switch. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 230A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 360W. RoHS: ja . Spec info: Idm--230Ap. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power-MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 100V, 195A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP4468PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 52 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 160 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 19860pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 520W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 2600pF. Omkostninger): 420pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 25. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 540 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 92us. Td(on): 17us. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 8.6A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 2200pF. Omkostninger): 320pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 580us. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low Gate Charger. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 30 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247 , 500V, 14A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP450LCPBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2200pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 190W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247 , 500V, 14A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP450PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 17 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 92 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 190W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 121A, 694A, 250uA, 0.0048 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 150V. ID (T=100°C): 121A. ID (T=25°C): 694A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.0048 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 150V. C (i): 10470pF. Omkostninger): 977pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 30. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 171A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 517W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 47 ns. Td(on): 27 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V

N-kanal transistor, 13A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.27 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 4200pF. Omkostninger): 870pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 110 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET, High Efficiency Synchronous R. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247 , 500V, 20A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP460APBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 18 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3100pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 280W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 13A, 20A, 10uA, 0.20 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 3940pF. Omkostninger): 152pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 437ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 62A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 278W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 117 ns. Td(on): 24 ns. Teknologi: D Series Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 12A, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.27 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 3600pF. Omkostninger): 440pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: hurtig omskiftning, ultra lav portopladning. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 40 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247 , 500V, 20A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP460LCPBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 18 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3600pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 280W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247 , 500V, 20A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP460PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 18 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 110 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4200pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 280W

N-kanal transistor, 92A, 130A, 0.1mA, 130A, 0.008 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 92A. ID (T=25°C): 130A. Idss: 0.1mA. Idss (maks.): 130A. On-resistance Rds On: 0.008 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 200V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højeffektiv synkron ensretning i skiftende strømforsyninger. Id(imp): 520A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 520W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power MOSFET

N-kanal transistor, 51A, 72A, 250uA, 72A, 0.011 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 51A. ID (T=25°C): 72A. Idss: 250uA. Idss (maks.): 72A. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 6160pF. Omkostninger): 440pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Power-MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 300A. IDss (min): 0.1uA. bemærk: Høj frekvens. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. Td(fra): 41 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: HEXFET® Power MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Port/kildespænding (fra) min.: 3.5V. Vgs (th) maks.: 5.5V

N-kanal transistor, 100V, 0.014 Ohms, TO-247AC. Drain-source spænding (Vds): 100V. On-resistance Rds On: 0.014 Ohms. Hus: TO-247AC. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 72A. Effekt: 190W

N-kanal transistor, 66A, 94A, 250uA, 0.023 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 66A. ID (T=25°C): 94A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.023 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 1070pF. Omkostninger): 6040pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højfrekvente DC-DC konvertere. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 380A. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 580W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 43 ns. Td(on): 23 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V

N-kanal transistor, 200V, TO-247AC, 0.02. Drain-source spænding (Vds): 200V. Hus: TO-247AC. On-resistance Rds On: 0.02. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 94A. Effekt: 580W

N-kanal transistor, 7A, 11A, 500uA, 0.6 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 0.6 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 2700pF. Omkostninger): 300pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 88 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 7A, 11A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.58 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 2100pF. Omkostninger): 270pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 44A. IDss (min): 25uA-. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 33 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 600V, 11A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFPC50PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 18 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 88 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2700pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 180W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 6A, 16A, 500uA, 0.4 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 3900pF. Omkostninger): 440pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 610 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 64A. IDss (min): 100uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 110 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 3.4A, 5.4A, 500uA, 2 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 800V. ID (T=100°C): 3.4A. ID (T=25°C): 5.4A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 2 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 800V. C (i): 1900pF. Omkostninger): 470pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: hurtig skift, ORION TV. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 22A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V