N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 200V, 46A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP260PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 23 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5200pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 280W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.075 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 250V. C (i): 5400pF. Omkostninger): 870pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 110 ns. Td(on): 22 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Funktion: hurtig omskiftning, dynamisk dv/dt. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.18 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 4660pF. Omkostninger): 460pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 620 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. IDss (min): 50uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 500W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 43 ns. Td(on): 27 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247 , TO-247AC, 75V. ID (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 3.6m Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 75V. C (i): 13000pF. Omkostninger): 2100pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 470W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 130 ns. Td(on): 23 ns. Teknologi: HEXFET ® Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 75V, 90A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP2907PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 23 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 13000pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 470W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 75V, 90A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP2907ZPBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 19 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 97 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7500pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 310W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, 190A, 270A, 250uA, 2.1M Ohms, TO-247 , TO-247AC. ID (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 2.1M Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. C (i): 8970pF. Omkostninger): 1020pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højeffektiv synkron ensretning i skiftende strømforsyninger. Id(imp): 1080A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 375W. RoHS: ja . Vægt: 4.58g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 118 ns. Td(on): 16 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. Idss (maks.): 2mA. On-resistance Rds On: 0.15 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 5000pF. Omkostninger): 553pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching Mode Power Supplies (SMPS). Id(imp): 124A. IDss (min): 50uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 460W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 54 ns. Td(on): 28 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247 , TO-247AC, 60V. ID (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 2.4M Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 6540pF. Omkostninger): 720pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: High Speed ​​Power Switching. Id(imp): 840A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 55 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 150V, 43A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP3415PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 12 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 72 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2400pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.3 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 400V. C (i): 2600pF. Omkostninger): 660pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 87 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -50...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 400V, 19A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP350PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 16 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 87 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 190W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 400V. C (i): 4500pF. Omkostninger): 1100pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 92A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 400V. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 400V. C (i): 3400pF. Omkostninger): 540pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 91A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 42 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 400V, 23A, 0.20 Ohms, TO-247AC HV, 400V. Drain-source spænding Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. On-resistance Rds On: 0.20 Ohms. Hus: TO-247AC HV. Drain-source spænding (Vds): 400V. Producentens mærkning: IRFP360PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 18 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 100 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4500pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 280W. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 23A. Effekt: 280W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.026 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 3000pF. Omkostninger): 640pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 210 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 180A. IDss (min): 25uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 58 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 40A, 51A, 51A, 0.023 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 100V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. Idss (maks.): 51A. On-resistance Rds On: 0.023 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 100V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: FastSwitch. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power MOSFET

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 100V, 40A, 180W. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Hus (JEDEC-standard): 180W. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP3710PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 14 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 58 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3000pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 0.021 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 200V. C (i): 4600pF. Omkostninger): 460pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 330W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 21 ns. Td(on): 33 ns. Teknologi: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Driftstemperatur: -40...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 0.038 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 250V. C (i): 4560pF. Omkostninger): 390pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 310W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 25 ns. Td(on): 44 ns. Teknologi: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Driftstemperatur: -40...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Vægt: 5.8g. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 300V. ID (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (maks.): 150uA. On-resistance Rds On: 0.049 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 300V. C (i): 7370pF. Omkostninger): 520pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. IDss (min): 5uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 430W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Driftstemperatur: -40...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 250V. ID (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (maks.): 1mA. On-resistance Rds On: 0.029 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 250V. C (i): 5860pF. Omkostninger): 530pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PDP Switch. Id(imp): 230A. IDss (min): 20uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 360W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: HEXFET Power-MOSFET. Driftstemperatur: -40...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AC, 100V, 195A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AC. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: IRFP4468PBF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 52 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 160 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 19860pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 520W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 2600pF. Omkostninger): 420pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 540 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 92us. Td(on): 17us. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 8.6A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247 , TO-247AC, 500V. ID (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.4 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Spænding Vds (maks.): 500V. C (i): 2200pF. Omkostninger): 320pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 580us. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. IDss (min): 25uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 30 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: HEXFET Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. GS-beskyttelse: NINCS