N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, 1mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (maks.): 1mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 40V. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: JFET. GS-beskyttelse: NINCS. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. bemærk: serigrafi/SMD-kode 62P. Mærkning på kabinettet: 62 P. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2mA. RoHS: ja . Spec info: VGS(off) 0.3V...1.5V. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 40V

N-kanal transistor, 30mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maks.): 30mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 25V. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: FET. Funktion: VHF/UHF forstærker, oscillator og mixer. GS-beskyttelse: NINCS. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. bemærk: serigrafi/SMD-kode 6U. Mærkning på kabinettet: 6U. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12mA. RoHS: ja . Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -55...+150°C

N-kanal transistor, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maks.): 60mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 25V. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: FET. Funktion: VHF/UHF forstærker, oscillator og mixer. GS-beskyttelse: NINCS. IDss (min): 24mA. IGF: 10mA. bemærk: serigrafi/SMD-kode 6T. Mærkning på kabinettet: 6T. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. RoHS: ja . Spec info: Gate amplifier, 16dB at 100MHz and 12dB at 450MHz. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Driftstemperatur: -55...+150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 25V, 60mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Drain-source spænding Uds [V]: 25V. Drænstrøm Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: N-kanal JFET transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 6T. Gate-source breakpoint spænding Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 6.95A, 11A, 1uA, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 6.95A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 0.32 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 890pF. Omkostninger): 670pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 375 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: PFC-strømforsyningstrin, switching-applikationer, motorstyring, DC/DC-konvertere. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 33A. Mærkning på kabinettet: 60R360P. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 31W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 80 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: N-channel POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, SOT-23, PCB-lodning (SMD) , TO-236AB, 50V, 0.22A. Hus: SOT-23. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus (JEDEC-standard): TO-236AB. Drain-source spænding Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: JD. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 1.6V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 16 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 60pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.36W

N-kanal transistor, 8A, 12A, 100uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.10 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 410pF. Omkostninger): 114pF. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 55.7 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching med høj hastighed. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 45A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 48W. RoHS: ja . Spec info: Logisk niveau gated transistor. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 14 ns. Td(on): 9 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 15V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-247AE, 100V, 45A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247AE. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MTW45N10E. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 50 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5000pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 180W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-264, 100V, 100A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-264. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MTY100N10E. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 96 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 372 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 10640pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 300W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (maks.): 52A. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 156A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Field Effect Power MOSFET

N-kanal transistor, 25A, 25A, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 25A. Idss (maks.): 25A. On-resistance Rds On: 0.18 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 30 v. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 100A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Field Effect Power MOSFET

N-kanal transistor, 75A, 75A, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=25°C): 75A. Idss (maks.): 75A. On-resistance Rds On: 0.013 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 2960pF. Omkostninger): 1130pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 225A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 54 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 30 v, 1.7A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Drain-source spænding Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: NDS355AN_NL. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 20 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 25 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 195pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, SO, SO-8. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Mængde pr tilfælde: 2. Funktion: N MOSFET transistor. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: 2xV-MOS

N-kanal transistor, 82A, 1uA, 4.1m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), MP-25ZP, 55V. ID (T=25°C): 82A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 4.1m Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): MP-25ZP. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 6400pF. Omkostninger): 465pF. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 900. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Ultra Low On-Resistance. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 328A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 82N055. Antal terminaler: 2. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 142W. RoHS: ja . Spec info: MOSFET transistor. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 72 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: MOSFET transistor. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V

N-kanal transistor, 10A, 20A, 10uA, 0.039 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.039 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 707pF. Omkostninger): 224pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 42 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Logik-niveau. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 60A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 20N6LG. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Spec info: IDM--60A pulse/10uS. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 25 ns. Td(on): 9.6 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 15V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 20N06LG. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 20 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 50 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 990pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 60W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, 12A, 12A, 0.084 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 12A. On-resistance Rds On: 0.084 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 60V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 45A/10us. Id(imp): 45A. bemærk: serigrafi/SMD-kode 55094G. Pd (Strømafledning, maks.) ): 48W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Power MOSFET

N-kanal transistor, 9A, 9A, 0.122 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 9A. On-resistance Rds On: 0.122 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 60V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 27A/10us. Id(imp): 27A. bemærk: serigrafi/SMD-kode 3150G. Pd (Strømafledning, maks.) ): 29W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Power MOSFET

N-kanal transistor, 12A, 12A, 0.089 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 12A. On-resistance Rds On: 0.089 Ohms. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251 ( I-Pak ). Spænding Vds (maks.): 60V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: logisk niveau, ID puls 45A/10us. Id(imp): 45A. bemærk: 55L104G. Pd (Strømafledning, maks.) ): 48W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Power MOSFET

N-kanal transistor, 12A, 10uA, 0.089 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.089 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 60V. C (i): 316pF. Omkostninger): 105pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 35 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: logisk niveau, ID puls 45A/10us. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 45A. IDss (min): 1uA. bemærk: serigrafi/SMD-kode 55L104G. Pd (Strømafledning, maks.) ): 48W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 19 ns. Td(on): 9.2 ns. Teknologi: Power MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 15V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D-PAK. Hus (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 55L104G. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 20 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 40 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 440pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 48W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

N-kanal transistor, 96A, 124A, 10uA, 3.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=100°C): 96A. ID (T=25°C): 124A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 3.4M Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. C (i): 4490pF. Omkostninger): 952pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 34 ns. Type transistor: MOSFET. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 230A. IDss (min): 1uA. bemærk: serigrafi/SMD-kode 4804NG. Mærkning på kabinettet: 4804NG. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 107W. RoHS: ja . Spec info: ID pulse 230A. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 24 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1.5V

N-kanal transistor, 5.1A, 25uA, 0.036 Ohms, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 5.1A. Idss (maks.): 25uA. On-resistance Rds On: 0.036 Ohms. Hus: TSOP. Hus (i henhold til datablad): TSOP-6. Spænding Vds (maks.): 20V. C (i): 510pF. Omkostninger): 200pF. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 20 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Lithium-ion-batteriapplikationer, bærbar pc. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 20A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 446. Antal terminaler: 6. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: Portstyring efter logisk niveau. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 35 ns. Td(on): 9 ns. Teknologi: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 12V. Vgs (th) min.: 0.6V

N-kanal transistor, 83A, 118A, 250uA, 0.02 Ohms, TO-247 , TO-247-3L, CASE 340CX, 900V. ID (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 118A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.02 Ohms. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247-3L, CASE 340CX. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 4416pF. Omkostninger): 296pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: UPS, DC/DC Converter, Boost Inverter. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 472A. IDss (min): 100uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 503W. Spec info: IDSC--854A, TA=25°C, tp=10us, RG=4.7ohm. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 55 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: MOSFET – SiC Power, Single N-Channel. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 19V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V