N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, 0.10 Ohms, TO-220, 60V. On-resistance Rds On: 0.10 Ohms. Hus: TO-220. Drain-source spænding (Vds): 60V. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 7A. Effekt: 50W

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 60V, 24A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BTS132. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 40 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 250 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1400pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 75W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SO8, 42V, 0.6A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SO8. Drain-source spænding Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 38us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 45us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.78W. Komponentfamilie: low-side MOSFET. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 42V, 0.6A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Drain-source spænding Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 38us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 45us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.78W. Komponentfamilie: low-side MOSFET. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , TO-263/5, 42V, 5A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: TO-263/5. Drain-source spænding Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 5. Producentens mærkning: BTS410E2. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.4V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 125us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 85us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 45V, 1.4A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Drain-source spænding Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BTS4141N. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 100us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 150us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.4W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 42V, 11A, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11. Drain-source spænding Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. On-resistance Rds On: 38m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220-5-11. RoHS: ja . Producentens mærkning: BTS432E2. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 300us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 80us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Antal terminaler: 5. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D2-PAK/5, TO-263, 42V, 11A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D2-PAK/5. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BTS432E2-SMD. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 300us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 80us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D2-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D2-PAK/5. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 200us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 250us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 75W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D²-PAK/7, TO-263, 18V, 40A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D²-PAK/7. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 6. Producentens mærkning: S50010E. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , P-DSO-12, 40V, 2.4A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: P-DSO-12. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 12:1. Producentens mærkning: BTS5210L. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 250us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 270us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 3W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , P-DSO-12, 40V, 3.7A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: P-DSO-12. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 12:1. Producentens mærkning: BTS5215L. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 250us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 270us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 3.1W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D²-PAK/7, TO-263, 34V, 4A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D²-PAK/7. Hus (JEDEC-standard): TO-263. Drain-source spænding Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BTS611L1. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 400us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 400us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 36W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , D-PAK/5, TO-252, 38V, 7A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: D-PAK/5. Hus (JEDEC-standard): TO-252. Drain-source spænding Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BTS6142D. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 600us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 600us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 50W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , P-DSO-20, 34V, 2.9A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: P-DSO-20. Drain-source spænding Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BTS721L1. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 400us. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 400us. Maksimal dissipation Ptot [W]: 3.7W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 30 milliOhms, SO, PG-DSO20. On-resistance Rds On: 30 milliOhms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): PG-DSO20. Funktion: Smart High-Side Power Switch . Udgang: 2db N-MOS 43V 5.5A. Antal terminaler: 20. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . VCC: 5...34V

N-kanal transistor, 7.5A, 13.5A, 13.5A, 0.12 Ohms, 50V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 13.5A. Idss (maks.): 13.5A. On-resistance Rds On: 0.12 Ohms. Spænding Vds (maks.): 50V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Teknologi: V-MOS. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 20uA. On-resistance Rds On: 2.1 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 750pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. IDss (min): 2uA. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 10 ns. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 61A, 75A, 1uA, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V, 0.009 Ohms. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 75A. Idss (maks.): 1uA. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-404. Spænding Vds (maks.): 55V. On-resistance Rds On: 0.009 Ohms. C (i): 2230pF. Omkostninger): 510pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 62 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 347A. IDss (min): 0.05uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 166W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 84 ns. Td(on): 18 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. ID (T=100°C): 38A. ID (T=25°C): 54A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 17m Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-404. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 1200pF. Omkostninger): 290pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 217A. IDss (min): 0.05uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 118W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 70 ns. Td(on): 15 ns. Driftstemperatur: -55...+175°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 14A, 20A, 500uA, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V, 0.064 Ohms. ID (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 500uA. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): SOT-78 ( TO220AB ). Spænding Vds (maks.): 55V. On-resistance Rds On: 0.064 Ohms. C (i): 440pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 81A. IDss (min): 0.05uA. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 28 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Gate / kilde spænding Vgs: 10V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Funktion: Automotive, power switching, 12V og 24V Motor. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. ID (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (maks.): 52A. On-resistance Rds On: 0.018 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): P-TO263-3-2. Spænding Vds (maks.): 55V. C (i): 1220pF. Omkostninger): 410pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 30 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: SIPMOS, PowerMosfet. Driftstemperatur: -55...+175°C. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 19A, 30A, 100uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AC, 50V. ID (T=100°C): 19A. ID (T=25°C): 30A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.03 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. Spænding Vds (maks.): 50V. C (i): 1500pF. Omkostninger): 750pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 200 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. IDss (min): 20uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 180 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V. ID (T=100°C): 32A. ID (T=25°C): 42A. Idss (maks.): 42A. On-resistance Rds On: 0.028 Ohms. Spænding Vds (maks.): 50V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Teknologi: V-MOS. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 22A, 39A, 39A, 40m Ohms, 50V. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 39A. Idss (maks.): 39A. On-resistance Rds On: 40m Ohms. Spænding Vds (maks.): 50V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Teknologi: V-MOS S/L. bemærk: 250/500ns. Mængde pr tilfælde: 1