N-kanal FETer og MOSFETer

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 100V, 34A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUZ22. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 30 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 300 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1850pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 2.6A, 2.6A, 1000V. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (maks.): 2.6A. Spænding Vds (maks.): 1000V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 78W. Teknologi: V-MOS L. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.23 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 330pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 25 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 200V, 7A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUZ73LH. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 20 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 130 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 840pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (maks.): 2.4A. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Spænding Vds (maks.): 500V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Teknologi: V-MOS. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 3A. On-resistance Rds On: 1.8 Ohms. Spænding Vds (maks.): 400V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Teknologi: V-MOS. bemærk: <57/115ns. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 400V, 2.7A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Drain-source spænding Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BUZ76A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 12 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 75 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 650pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 1.7A, 2.7A, 2.7A, 4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.7A. Idss (maks.): 2.7A. On-resistance Rds On: 4 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: <50/105ns. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: V-MOS. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 460pF. Omkostninger): 55pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. IDss (min): 0.1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Td(fra): 50 ns. Td(on): 8 ns. Teknologi: V-MOS. Driftstemperatur: -50...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2.1V. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.1A. Idss (maks.): 2.1A. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Spænding Vds (maks.): 800V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Teknologi: V-MOS (F). bemærk: <100/220ns. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 3.2A, 3.2A, 800V. ID (T=25°C): 3.2A. Idss (maks.): 3.2A. Spænding Vds (maks.): 800V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: V-MOS. Pd (Strømafledning, maks.) ): 78W. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (maks.): 4.5A. On-resistance Rds On: 1.6 Ohms. Spænding Vds (maks.): 600V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Teknologi: V-MOS. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 4A. On-resistance Rds On: 2 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 600V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 4A. On-resistance Rds On: 2 Ohms. Spænding Vds (maks.): 600V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. Teknologi: TO-220F. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 8A. On-resistance Rds On: 0.9 Ohms. Hus: TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: V-MOS. Mængde pr tilfælde: 1

N-kanal transistor, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.9 Ohms. Hus: TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 32A. IDss (min): 0.1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Teknologi: V-MOS

N-kanal transistor, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (maks.): 52A. On-resistance Rds On: 0.011 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Logic Level Enhancement Mode. Id(imp): 156A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Field Effect Power MOSFET

N-kanal transistor, 200A, Andre, Andre, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): Andre. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. C (i): 40pF. Omkostninger): 14pF. Kanaltype: N. Funktion: Dobbelt IGBT-transistor (isoleret). Kollektorstrøm: 200A. Ic (puls): 400A. Dimensioner: 108x62x31mm. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1500W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 300 ns. Td(on): 250 ns. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 6V. Antal terminaler: 7. Spec info: High Power Switching. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, 2 mm × 2 mm plastikkasse, 30 v. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Hus: WSON6. Hus (i henhold til datablad): 2 mm × 2 mm plastikkasse. Spænding Vds (maks.): 30 v. C (i): 260pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. Antal terminaler: 6. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 17W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Teknologi: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 8V. Vgs (th) maks.: 1.8V. Vgs (th) min.: 0.9V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 600A, Andre, Andre, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): Andre. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. C (i): 37pF. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 600A. Ic (puls): 1200A. Dimensioner: 172x89x37mm. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3350W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.7V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.8V. Antal terminaler: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Funktion: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

N-kanal transistor, PCB-lodning (SMD) , SO8, 30V/-30V, 6A/-4.2A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SO8. Drain-source spænding Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 8:1. Producentens mærkning: C3025LS. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 1.2V/-2V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 590/631pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. Komponentfamilie: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

N-kanal transistor, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. Idss (maks.): 10mA. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Spænding Vds (maks.): 200V. pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (i): 900pF. Omkostninger): 500pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Forskellige: HI-FI effektforstærker. Type transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Forstærker MOSFET. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 90 ns. Td(on): 155 ns. Teknologi: N–CHANNEL POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 14V. Port/kildespænding (fra) max.: 1.5V. Port/kildespænding (fra) min.: 0.1V. Spec info: komplementær transistor (par) ECW20P20. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 8A, 10mA, TO-247 , TO-247 , 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 10mA. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Spænding Vds (maks.): 200V. pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (i): 500pF. Omkostninger): 300pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Forskellige: HI-FI effektforstærker. Type transistor: MOSFET. Funktion: AUDIO POWER Forstærker MOSFET. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 100 ns. Teknologi: N–CHANNEL POWER MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 14V. Port/kildespænding (fra) max.: 1.5V. Port/kildespænding (fra) min.: 0.15V. Spec info: komplementær transistor (par) ECX10P20. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.32 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1148pF. Omkostninger): 671pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: ID pulse 33A. Id(imp): 33A. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 119 ns. Td(on): 34 ns. Teknologi: SuperFET MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

N-kanal transistor, 0.32 Ohms, TO-220F, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V, 650V. On-resistance Rds On: 0.32 Ohms. Hus: TO-220F. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.33 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Drain-source spænding (Vds): 650V. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Max drænstrøm: 11A. Effekt: 36W. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SuperFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V