Elektroniske komponenter og udstyr, til virksomheder og privatpersoner

N-kanal transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V - 2SK1217

N-kanal transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V - 2SK1217
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Antal ekskl. moms moms inkl.
1 - 1 167.60kr 209.50kr
2 - 2 159.22kr 199.03kr
3 - 4 155.86kr 194.83kr
5 - 9 152.51kr 190.64kr
10 - 14 150.84kr 188.55kr
15 - 19 147.48kr 184.35kr
20+ 142.46kr 178.08kr
Antal U.P
1 - 1 167.60kr 209.50kr
2 - 2 159.22kr 199.03kr
3 - 4 155.86kr 194.83kr
5 - 9 152.51kr 190.64kr
10 - 14 150.84kr 188.55kr
15 - 19 147.48kr 184.35kr
20+ 142.46kr 178.08kr
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Udsolgt
Sæt med 1

N-kanal transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V - 2SK1217. N-kanal transistor, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 500uA. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Spænding Vds (maks.): 900V. C (i): 1400pF. Omkostninger): 200pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Low Driving Power High Speed Switching. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 23A. IDss (min): 10uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 300 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: V-MOS. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 2.5V. Originalt produkt fra producenten Fuji Electric. Antal på lager opdateret den 07/06/2025, 17:25.

Vi anbefaler også :

Vi anbefaler også :

Information og teknisk hjælp

På telefon :

Betaling og levering

Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!

Tilmeld dig nyhedsbrevet

Jeg accepterer at modtage e-mails, og jeg forstår, at jeg til enhver tid kan afmelde mig efter at have tilmeldt mig.

Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.