N-kanal transistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A

N-kanal transistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A. N-kanal transistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. ID (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (maks.): 5.7A. On-resistance Rds On: 22m Ohms. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 30 v. C (i): 630pF. Omkostninger): 75pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 16.8 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Switching eller PWM applikationer. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 25A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1uA. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 21.5 ns. Td(on): 3.2 ns. Teknologi: Enhancement Mode Field Effect Transistor . Gate / kilde spænding Vgs: 12V. Originalt produkt fra producenten Alpha & Omega Semiconductors. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 02:25.