N-kanal transistor, 200A, Andre, Andre, 1200V - CM200DY-24H

N-kanal transistor, 200A, Andre, Andre, 1200V - CM200DY-24H. N-kanal transistor, 200A, Andre, Andre, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): Andre. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. C (i): 40pF. Omkostninger): 14pF. CE-diode: NINCS. Kanaltype: N. Funktion: Dobbelt IGBT-transistor (isoleret). Germanium diode: NINCS. Kollektorstrøm: 200A. Ic (puls): 400A. Antal terminaler: 7. Dimensioner: 108x62x31mm. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1500W. RoHS: ja . Spec info: High Power Switching. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 300 ns. Td(on): 250 ns. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 6V. Originalt produkt fra producenten Mitsubishi Electric Semiconductor. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 14:25.